特許
J-GLOBAL ID：200903065280187127
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214979
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067682
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の接合リーク電流低減のためのゲッタリングにおいて、窒素注入によるゲッタリングでは、残留窒素により拡散層抵抗やコンタクト抵抗の上昇を招くものであった。【解決手段】 拡散層17中に希ガスイオンあるいは水素イオンを注入して熱処理を施すことにより、注入された上記イオンを基板8から放出すると共にボイド16を発生させて、このボイド16により結晶欠陥をゲッタリングする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、拡散層形成のために不純物イオンを注入する工程と、上記不純物注入領域内で、これを越えない深さに希ガスイオンあるいは水素イオンを注入する工程と、熱処理を施して、上記拡散層中に形成された上記希ガスイオンあるいは水素イオンに起因するボイドにより、上記半導体基板中の結晶欠陥をゲッタリングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/322
, H01L 29/78
H01L 21/265 Q
, H01L 21/322 J
, H01L 29/78 301 F
