特許
J-GLOBAL ID：200903065282172151
薄膜コンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051291
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258988
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は小型電子回路に用いるコンデンサにおいて大容量の薄膜コンデンサを提供することを目的とする。【構成】誘電体2として比誘電率が約20000 のPbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3等の鉛系複合ペロブスカイト化合物を採用し、この誘電体の膜厚が3μm以下の薄膜コンデンサを形成した。【効果】その結果、単位面積当たりの容量が10μF/cm2の薄膜コンデンサを実現した。
請求項（抜粋）：
電子回路に用いるコンデンサにおいて、物理蒸着法を用いて400°Cから600°Cの基板温度で形成したPbMg1/3Nb2/3O3-PbTiO3を誘電体として用い、その誘電体の厚さが3μm以下であることを特徴とする薄膜コンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, H01B 3/12 313
, H01L 27/04
