特許
J-GLOBAL ID：200903065284679555
回路基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-291299
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140733
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 搭載部と入出力パッドの両方に充分なメッキ処理を施す。【構成】 多層回路基板は、入出力側端子と、第4薄膜配線層9を表面に有するセラミック基板と、樹脂絶縁層と、入出力端子上に形成された入出力パッドと、はんだバンプを介して半導体素子が搭載される、第4薄膜配線層9に設けられたバンプ搭載部5とを備えている。バンプ搭載部5は、第4薄膜配線層上にスパッタリング法により形成されたニッケルスパッタ層15と、ニッケルスパッタ層15上に無電解ニッケルメッキ法により形成された第3ニッケルメッキ層16とを含んでいる。
請求項（抜粋）：
入出力端子と配線層を表面に有する絶縁体と、前記入出力端子上に形成された入出力パッドと、はんだバンプを介して半導体素子が搭載される、前記配線層に設けられた搭載部とを備えた回路基板において、前記入出力パッドは、前記入出力端子上に形成された第1ニッケルメッキ層と、前記第1ニッケルメッキ層上に無電解ニッケルメッキ法により形成された第2ニッケルメッキ層とを含んでおり、前記搭載部は、前記配線層上にスパッタリング法により形成されたニッケルスパッタ層と、前記ニッケルスパッタ層上に無電解ニッケルメッキ法により形成された第3ニッケルメッキ層とを含んでいることを特徴とする回路基板。
IPC (4件)：
H05K 1/11
, H01L 21/60 311
, H05K 3/24
, H05K 3/34
