特許

J-GLOBAL ID：200903065286490875

CVD装置及び膜の形成方法

発明者： 上田 路人 ,  大塚 隆
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191236
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023905
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 原料ガスの上流側と下流側とで原料ガスの分解の不均一に起因する組成の均一性の悪化を防止しうるCVD装置及び膜の形成方法を提供する。【解決手段】 CVD装置71の反応炉73には、Siウェハ75を保持する加熱機構77と、BST膜を形成するための第1の原料ガスを導入するための第1の導入口85と、排気口87と、第1の原料ガスよりもTi含有率の高い第2の原料ガスを導入するための第2の導入口89とが設けられている。第1の原料ガスが多数の細孔91aからSiウェハ75の主面上に供給され、各細孔91aから排気口87に至る第1の原料ガスの流れが形成される。第2の原料ガスが多数の細孔91bから、第1の原料ガスの流れの途中に導入される。第2の原料ガスのTi含有率を第1の原料ガスよりも高めることにより、Siウェハ75上のBST膜の上流側と下流側とにおける膜の組成の不均一を改善する。

請求項（抜粋）：

被処理物の主面上に膜を形成するCVD処理を行なうための反応炉と、分解して多元系材料の膜を形成するための第1の原料ガスを上記反応炉内に導入するための第1の原料導入部と、上記第1の原料導入部とは離間して設けられ、反応炉内を排気するための排出部と、上記反応炉内における上記第1の原料導入部から上記排出部に至る第1の原料ガスの流れに上記被処理物の主面がさらされるように、上記被処理物を取り付けるための被処理物載置部と、上記反応炉内における上記第1の原料ガスの流れの途中に、上記多元系材料のうち少なくとも1つの成分を含む第2の原料ガスを導入するための第2の原料導入部とを備えているCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  5F045AC09 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045DC55 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE05 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045HA16