特許

J-GLOBAL ID：200903065299242641

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 松野 年伸 ,  正戸 宏幸 ,  井上 薫 ,  田邊 充 ,  西井 勝則 ,  田村 彰良
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-347783
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183315
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 微細ゲート長を有するT型ゲートの断線や電気抵抗の増大に起因する半導体装置の信頼性の低下及び高速動作性の劣化を防止する。【構成】 微細寸法の開口部9を有するAl膜5をマスクとして、絶縁膜であるSi3 N4 膜3にゲート開口部10を形成する際、Si3 N4 膜3の上部は等方性エッチングにより除去し、マスク開口部9よりも広い開口を形成する。そして、Si3 N4 膜3の下部は異方性エッチングにより除去する。これにより、下端部ではマスク開口部9にほぼ等しい寸法で、上方に向かって開く方向に傾斜をもったゲート開口部10を形成する。その後、ゲートメタルを堆積し、ほぼY字状のゲート電極7を形成する。これにより、ゲート開口部10の上端縁がゲートメタルで塞がれたり、堆積されるゲート電極7の横方向の寸法が極端に減小するのを防ぎ、かつゲート長を微細寸法として、高い信頼性と高速動作性とを得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、上記半導体基板上に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜を貫通して上記半導体基板の活性領域にコンタクトするように設けられたゲート電極とを備えるとともに、上記ゲート電極は、ゲート幅方向に直交する断面内で、下部から上方に向かって徐々にゲート長さ方向の寸法が拡大してなるほぼY字状の断面形状を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/30 576 ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭64-007572
  
• 特開昭63-137481
  
• 特開平4-340231
  
• 特開昭61-292916
  
• 特開平3-011628
  
• 特開平4-303924