特許

J-GLOBAL ID：200903065302664412

半導体基板に水素を拡散させるプラグを有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 神垣 哲也 ,  森門 六月生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133760
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050964
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、半導体基板上に形成され、水素に対するバリア層で覆われている半導体装置の基板内に水素を拡散させて接合リークを低減させることを目的とする。【解決手段】 半導体装置を覆っている窒化シリコン層のような水素に対してバリアとして機能する層9 を貫通した開口部11に配置されて半導体基板の表面、例えばソース領域2 と接触しているプラグ12を備え、このプラグ12は多結晶シリコン、アモルファスシリコンのような水素を拡散することができる材料から成り、半導体装置に電気的に接続されていないことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、かつ水素の拡散に対し実質的にバリアとして機能する層を半導体基板上に形成されて有する、半導体装置において、前記水素に対するバリアである層を貫通した開口部に配置されて前記半導体基板の表面と接触している、水素を拡散することのできる材料から成るプラグを具備し、プラグが前記半導体装置に電気的に接続されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 21/28 301 C ,  H01L 21/88 P