特許

J-GLOBAL ID：200903065305901458

重ね合わせ測定マーク及びその測定方法と重ね合わせ測定マークを有する半導体装置

発明者： 清水 但美
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267202
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 従来の重ね合わせ測定マークは、合わせ層のパターンと一つの下地層のパターンから構成されており、複数の異なる下地層に対する重ね合わせ精度を、一つの重ね合わせ測定マークで同時に測定することができない。【解決手段】 重ね合わせ測定マークを、合わせ層のパターン1と複数の異なる下地層I,J,K,Lのパターン2,3,4,5とで構成し、一つの重ね合わせ測定マークで複数の異なる下地層との重ね合わせ精度を同時に測定でき、測定時間の短縮し、かつ重ね合わせ測定マークが占める面積を小さくできる。

請求項（抜粋）：

半導体装置あるいは液晶パネルの製造工程における合わせ層の回路パターンと、前記合わせ層より下層にある複数の異なる下地層の回路パターンとの重ね合わせ精度を測定する重ね合わせ測定マークであって、合わせ層のマークパターンと、複数の異なる下地層のマークパターンとを備えたことを特徴とする重ね合わせ測定マーク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G01B 11/00 ,  G03F 9/00

FI (4件)：

G01B 11/00 H ,  G03F 9/00 H ,  G03F 9/00 Z ,  H01L 21/30 522 B

Fターム (35件)：

2F065AA17 ,  2F065AA20 ,  2F065BB02 ,  2F065BB17 ,  2F065BB28 ,  2F065CC17 ,  2F065CC25 ,  2F065CC31 ,  2F065CC37 ,  2F065DD06 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065JJ02 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ25 ,  2F065JJ26 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR08 ,  2H097KA13 ,  2H097KA15 ,  2H097KA16 ,  2H097LA10 ,  2H097LA12 ,  5F046AA26 ,  5F046EA03 ,  5F046EA04 ,  5F046EA09 ,  5F046EA12 ,  5F046EA13 ,  5F046EA15 ,  5F046EA18 ,  5F046EA23 ,  5F046EA26 ,  5F046EB01 ,  5F046EC05