特許
J-GLOBAL ID：200903065306342436
不揮発性メモリ方式
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-103789
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、不揮発性メモリ(実施例はマスクROM)の回路構成に関するもので、センスアンプの動作速度の遅れや誤動作を除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のため本発明は、分割したメモリアレイ1a、1b間に従来の一方式と同様センスアンプ4内にダミーセル5を設けるとともに、メモリアレイ1a、1bを選択するアドレス信号Aとその逆信号バーAとをゲートするトランジスタTr1、3を従来の方式のトランジスタTr2、4の他に設け、ビット線2aまたは2bの容量値を、1組のメモリアレイ1aまたは1bを選択するとき、他のメモリアレイ1bまたは1aを全てダミーにするようにしたものである。
請求項（抜粋）：
メモリアレイが任意の信号で指定できるよう分割され、該各メモリアレイのビット線をマルチプレクサに接続し、該各マルチプレクサ間に前記分割されたメモリアレイのいずれかを選択する信号を受信する素子を介して電流検出型センスアンプに接続される構成の不揮発性メモリ方式において、前記電流検出型センスアンプに、ダミーセルとしての電流値を生成するダミーセル群を設け、前記任意の信号で選択されたメモリアレイをそのときに機能するセルとし、前記信号の逆信号で選択されたメモリアレイをすべてダミーセル用のダミービット線容量値として、前記センスアンプに取り込むようにしたことを特徴とする不揮発性メモリ方式。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 B
, H01L 27/10 433
