半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-276068
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120992
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】本発明では多層配線構造での、フューズ上の層間絶縁膜が厚くなった場合の、フューズ用ホールを容易に開孔出来る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】表面に酸化膜3を有する半導体基板1上にフューズ電極5を形成し、フューズ電極5上及び酸化膜3上に絶縁膜7を形成する。次に絶縁膜7上の、フューズ電極5上を含む領域に金属層12を形成する。次にフューズ電極5上の金属層12を当方性エッチングして絶縁層7を露出し、フューズ電極5を切断するためのホール21を形成する。このようにフューズ電極5を切断するためホール21を形成すれば、フューズ5上は金属層12があるため、当方性エッチングにより容易に且つ正確にフューズ電極5を切断するためのホール21を形成することが出来る。

請求項（抜粋）：

表面に酸化膜を有する半導体基板上にフューズ電極を形成する工程と、このフューズ電極上及び前記酸化膜上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上の、前記フューズ電極上を含む領域に金属層を形成する工程と、前記フューズ電極上の金属層を当方性エッチングして前記絶縁層を露出し、前記フューズ電極を切断するためのホールを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/88 S

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