特許

J-GLOBAL ID：200903065316729800

絶縁膜の形成方法

発明者： 村瀬 克実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326495
出願日： 1992年05月18日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、500°C程度以下の低温で析出される酸化物絶縁膜の含水量の低減と耐湿性の向上とを実現することを目的とする。【構成】 所要の原料から500°C程度以下の温度で酸化物絶縁膜を析出させた後、その酸化物絶縁膜をオゾンを含む雰囲気で熱処理することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所要の原料から500°C程度以下の温度で酸化物絶縁膜を析出させた後に該酸化物絶縁膜をオゾンを含む雰囲気で熱処理することを特徴とする絶縁膜の形成方法。