特許

J-GLOBAL ID：200903065318072264

配線形成方法

発明者： 伊藤 彰浩 ,  佐藤 新治
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145734
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321606
出願日： 1997年05月20日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 高密度プラズマエッチング法をCu配線加工プロセスに有効に適用できる配線形成方法を提供し、さらには、Cu膜のパターニングを行いながら同時にCu配線の周囲に保護膜を形成する配線形成方法を提供することにある。【解決手段】 エッチングガスとして、塩素ガスと不活性ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの1種又は複数種)との混合ガスを用いることで、不活性ガスによる塩素ガスの希釈作用及びガス滞在時間の短縮作用により、高い微細加工制御性が得られるようにした。また、前記混合ガスに窒素系ガス(N2 、NH3 のうちいずれか又は両方)を添加した窒素系ガス添加混合ガスを用いることにより、エッチングにより形成されたCu膜10の側壁に保護膜として窒化銅膜が形成され、より異方性良く低い基板温度でCu膜のパターニングが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の配線形成方法であって、Cu膜上に配線パターン形状を有するエッチングマスクを形成した後、塩素ガスと不活性ガス(He、Ne、Ar、Kr、Xeのうちの1種又は複数種)との混合ガスを用いて高密度プラズマエッチング処理を行うことにより所望のCu配線を形成するようにしたことを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205 ,  C23F 4/00

FI (4件)：

H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 M