特許

J-GLOBAL ID：200903065318929351

真空センサ

発明者： 逸見 浩二 ,  江刺 正喜
出願人/特許権者： 株式会社リケン ,  江刺 正喜
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134333
公開番号（公開出願番号）：特開平8-005494
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、真空センサに関し、構造が簡単、且つ小型で、しかも広範囲の真空圧力を1台で測定することを目的とする。【構成】 導電性で、且つ成形可能な材料の第1基板と、絶縁性で、且つ高剛性を有する材料の第2基板と、第1基板と第2基板との間に、互いに離隔して形成された空間と、空間の各々に対応する第1基板に形成された開孔部と、開孔部毎に面積が異なり、開孔部に印加される真空圧力に応じて変位する導電性ダイアフラム電極と、第2基板上に空間を介して導電性ダイアフラム電極と対向配置された導電性薄膜電極と、第1基板を第2基板と共に密着挟持し、第1基板の開孔部毎に開孔部を設けた絶縁性で、且つ高剛性を有する材料の第3基板と、導電性薄膜電極別に外部に引き出される導電性引き出し部とを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性で、且つ成形可能な材料の第1の基板と、絶縁性で、且つ高剛性を有する材料の第2の基板と、第1の基板と第2の基板との間の所要位置毎に、互いに離隔して形成された空間と、該空間の各々に対応する第1の基板に形成された開孔部と、各開孔部の周辺に密着されたものであって、開孔部毎に面積が異なり、開孔部に印加される真空圧力に応じて変位する導電性ダイアフラム電極と、前記第2の基板上に前記空間を介して前記導電性ダイアフラム電極と対向配置された導電性薄膜電極と、前記第1の基板を前記第2の基板と共に密着挟持し、前記第1の基板の開孔部毎に開孔部を設けた絶縁性で、且つ高剛性を有する材料の第3の基板と、導電性薄膜電極別に外部に引き出される導電性引き出し部とを設け、前記空間の各々を相互に連通させ、高真空に封止して各導電性ダイアフラム電極と対向する導電性薄膜電極との間の静電容量から真空度を測定することを特徴とする真空センサ。

IPC (2件)：

G01L 21/00 ,  G01L 9/12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 真空センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-254991   出願人：江刺正喜, 株式会社リケン
• 特開昭59-004177