特許
J-GLOBAL ID：200903065319462260
真空封入単結晶シリコン・デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
社本 一夫
, 小野 新次郎
, 小林 泰
, 千葉 昭男
, 富田 博行
, 大塚 住江
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355066
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184931
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】絶縁物上シリコン(SOI)又は絶縁ベース及び共振器ウエハを含む、2ウエハ・プロセスにより形成した単結晶シリコン(SCS)微細機械加工共振器を提供する。【解決手段】共振器106は、SOIベース・ウエハ104内に形成されたSOIベース・プレート102と、SOI共振器ウエハ108内に形成された単結晶シリコン微細機械加工共振器106とで形成され、ウエハ104は、ハンドル層112とアクティブ層114の間に挟持されている埋め込み誘電体層110を含む。容量性エアー・ギャップ116の上方に共振器106が配置され、共振器106は、端部118、120において、ベース・ウエハ104のアクティブ層114内に形成されている単結晶シリコン・アンカー122、124にボンディングされており、これによってベース・プレート102に両端において結合されて、クランプ-クランプ型の共振器が得られる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
機密封止した振動微細機械加工構造を形成する方法であって、
実質的に平面状であり、離間された上面及び底面を有するカバー・ウエハにおけるカバーを形成するステップであって、
前記離間された上面及び底面間に、前記カバー・ウエハを貫通する複数の進入孔を形成するステップと、
少なくとも前記進入孔の各々の周囲及び前記ウエハ底面の内部区域の周囲に、ボンディングパターンにボンディングするために、前記カバー・ウエハの底面を準備するステップと、
を含むカバー形成ステップと、
被制御雰囲気において、前記カバーを、絶縁物上シリコン共振器ウエハの単結晶シリコン半導体材料のアクティブ層内にエッチングされた共振器を有し、更に前記単結晶シリコン共振器に結合されたベース・ウエハを備えている微細機械加工共振器デバイスとボンディングするステップであって、前記共振器を完全に包囲するように位置付けられた前記ウエハ底面の内部区域を包囲するボンディングパターンによって、前記カバーを前記共振器のアクティブ層とボンディングし、前記進入孔を、前記共振器ウエハのアクティブ層上に形成したコンタクト・パッドと位置合わせしてボンディングするボンディング・ステップと
を含むことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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