特許
J-GLOBAL ID：200903065324043527
半導体超格子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223234
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062911
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 Si基板上にGe層とSi層またはGe・Si層とSi層との半導体超格子の製造方法に関し、結晶品質が良く、且つ成長速度の速いヘテロエピタキシャル成長法を実用化することを目的とする。【構成】 GeH4と酸化性不純物ガスの含有量が100ppb以下の雰囲気の下で、トリシラン(Si3H8) とを原料ガスとし、H2または不活性ガスをキャリアとし、減圧CVD法によりSi基板上にGe層とSi層、またはGe・Si層とSi層とをエピタキシャル成長させることを特徴として半導体超格子の製造方法を構成する。
請求項（抜粋）：
酸化性不純物ガスの含有量が100ppb以下の雰囲気の下で、トリシランとゲルマンとを原料ガスとし、水素または不活性ガスをキャリアとして減圧気相成長方法によりシリコン基板上にゲルマニウム層とシリコン層、またはゲルマニウム・シリコン層とシリコン層とをエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体超格子の製造方法。
IPC (2件)：
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