特許

J-GLOBAL ID：200903065328159279

半導体ウエハ研磨中にウエハ特性を測定するデバイスおよび方法

発明者： ロバート ディー. ベナッシ
出願人/特許権者： ストラスボー
代理人 (1件)： 丸山 英一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-503023
公開番号（公開出願番号）：特表2009-531862
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

ウエハ4上に配置された材料層を研磨しながらその層の厚みの変化を測定するシステムおよび方法。光が、研磨パッド3内に配置された、内在の光学センサからウエハ4の表面に向けられ、データ信号が無線で制御システムへ送信される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウエハが研磨されると共に前記ウエハの特性の変化を測定するためのシステムであって、前記システムは、 前記ウエハを研磨するのに適する研磨パッド; 前記パッド内に配置される光源; 前記パッド内に配置される光検出器; 前記パッド内に配置される無線送信機;および 前記パッド内に配置されるセンサ制御システムを備え、前記センサ制御システムは、前記光源、前記光検出器および前記無線送信機に動作上接続されることを特徴とするシステム。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/04 ,  B24B 49/12

FI (4件)：

H01L21/304 622S ,  B24B37/04 K ,  H01L21/304 622X ,  B24B49/12

Fターム (15件)：

3C034AA13 ,  3C034CA02 ,  3C034CA19 ,  3C034CA22 ,  3C034DD10 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058BB01 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第5,893,796号
  
• 米国特許第6,045,439号
  
• 米国特許第5,949,927号
  
• 米国特許第5,081,796号