特許
J-GLOBAL ID：200903065333522993
薄膜製造装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北西 務 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049074
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体、導体、絶縁体、誘電体等の電子分野および耐摩耗、耐食、耐熱等の機械分野に適用される薄膜製造技術に関するもので、イオンビームアシスト蒸着法において、薄膜の組成に関する最適条件の条件出しを、試行回数も少なく容易に制御性も良く行なうことを目的としている。【構成】 真空装置内に設置した基材2に対し蒸発源3より薄膜材料4を蒸着すると同時に、または交互にイオン源6より反応ガス、希ガスもしくは両者の混合ガスイオン7を照射する。この結果基材2上に薄膜が成長し、またそれと同時に成長表面よりスパッタ原子、二次イオン10が飛び出し、これが質量分析器11に入り組成比がその場で分析される。この結果を基に基材2への薄膜材料の付着速度、単位時間当りの照射されるイオン粒子数を膜厚計8、イオン電流測定器9でモニターしながら蒸発源3、イオン源6を目標の組成比となるよう調整する。
請求項（抜粋）：
真空槽内に設置した基材に対して該真空槽内において薄膜材料を加熱、蒸発させ基材表面に薄膜材料物質の薄膜を蒸着させる蒸発源と、基材表面にイオンを照射するイオン源と、製造中の薄膜表面より飛び出すスパッタ原子、二次イオンを検出可能な位置に設置され、スパッタ原子、二次イオンを検出することにより製造中の薄膜表面の組成の分析が可能なエネルギー分析の出来る質量分析器から成る組成分析器とを具備したことを特徴とする薄膜製造装置。
IPC (2件)：
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