特許

J-GLOBAL ID：200903065336978483

希土類ガーネット焼結体とその製造方法

発明者： 柳谷 高公 ,  八木 秀喜
出願人/特許権者： 神島化学工業株式会社
代理人 (2件)： 塩入 明 ,  塩入 みか
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003000750
公開番号（公開出願番号）：WO2004-067474
出願日： 2003年01月27日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

YAG等の希土類ガーネット粉体の予備焼結体をHIPにより焼結した後、全圧が4.5MPa以上の含酸素雰囲気中、1100°C〜1600°Cでアニールすることにより、平均結晶子径が0.9〜9μm、光損失係数が0.002cm-1以下、透過波面歪みが0.05λcm-1以下の焼結体とする。

請求項（抜粋）：

ホット・アイソスタティック・プレッシング(HIP)後に、加圧含酸素雰囲気中でアニールされた、 平均結晶子径が0.9〜9μm; 光損失係数が0.002cm-1以下; 透過波面歪みが0.05λcm-1以下の希土類ガーネット焼結体。

IPC (5件)：

C04B 35/44 ,  C04B 35/50 ,  G02B 1/02 ,  H01S 3/16 ,  C04B 35/64

FI (5件)：

C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  G02B1/02 ,  H01S3/16 ,  C04B35/64 M

Fターム (11件)：

4G031AA08 ,  4G031AA29 ,  4G031BA14 ,  4G031CA04 ,  4G031GA09 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA12 ,  4G031GA16 ,  4G031GA17 ,  5F172AE03