特許

J-GLOBAL ID：200903065337896391

シリコン酸化膜の形成方法、及びシリコン酸化膜形成装置

発明者： 鈴木 篤 ,  柏木 章秀
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003963
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204517
出願日： 1998年01月12日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する際、シリコン層にドライ酸化膜が形成されることを低減することができ、しかも、特性の優れたシリコン酸化膜を形成することができるシリコン酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、(A)酸素ガスによる水素ガスの燃焼によって水蒸気を生成させるための燃焼室30、(B)酸素ガスによる水素ガスの燃焼以外の方法によって水蒸気を生成させるための水蒸気生成装置34、及び、(C)シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する処理室10を備えたシリコン酸化膜形成装置を用い、水蒸気生成装置34にて生成した水蒸気を同伴した酸素ガスによって処理室10内を満たした後、燃焼室30にて水蒸気の生成を開始し、燃焼室30にて生成した水蒸気によって処理室10内でシリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

(A)酸素ガスによる水素ガスの燃焼によって水蒸気を生成させるための燃焼室、(B)酸素ガスによる水素ガスの燃焼以外の方法によって水蒸気を生成させるための水蒸気生成装置、及び、(C)燃焼室あるいは水蒸気生成装置にて生成した水蒸気によってシリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する処理室、を備えていることを特徴とするシリコン酸化膜形成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭45-025662
  
• 特公昭58-010100