特許

J-GLOBAL ID：200903065341243335

金めっき材の封孔処理方法

発明者： 深町 一彦 ,  畑中 宏之
出願人/特許権者： 日鉱金属株式会社
代理人 (1件)： 小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053833
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258887
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】 環境汚染性がなく、しかも接触抵抗が低く、高耐食性の金めっき材(接点)を形成する封孔処理方法の提供。【構成】 基材金属にニッケルまたはニッケルを含有する合金めっき等を下地として具備する金または金合金めっき材の封孔処理方法において、インヒビターとして特定のメルカプトベンゾチアゾール誘導体の1種もしくは2種以上を合計で10〜1000ppm含有する封孔処理水溶液中で該めっき材を陽極として、極間電圧Eが0.1〜5.0Vの範囲で直流電解することを特徴とする金または金合金めっき材の封孔処理方法。

請求項（抜粋）：

基材金属にニッケルまたはニッケルを含有する合金めっき等を下地として具備する金または金合金めっき材の封孔処理方法において、インヒビターとして下記式(1)で表わされるメルカプトベンゾチアゾール誘導体の1種もしくは2種以上を合計で10〜1000ppm含有する封孔処理水溶液中で該めっき材を陽極として、極間電圧Eが0.1〜5.0Vの範囲で直流電解することを特徴とする金または金合金めっき材の封孔処理方法。【化1】(式中、R1は水素、アルキル、置換アルキル、ハロゲンを表し、R2はアルカリ金属、水素、アルキル、置換アルキル、置換アミノ基を表す)

IPC (3件)：

C25D 9/02 ,  C25D 7/00 ,  C25D 11/34