特許
J-GLOBAL ID：200903065350331646
絶縁膜の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025872
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244175
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】ECRプラズマCVD装置を用いて酸化シリコン膜を製造する絶縁膜製造方法として、膜質と成膜速度との向上を、円滑な装置運転を阻害さることなく実現させることのできる絶縁膜製造方法と、この製造方法が適用される装置の構成とを提供する。【構成】発散磁場を形成する主励磁ソレノイド4のみを備えたECRプラズマCVD装置では、ECR面と基板10との距離を100〜180mmの範囲内に、ECR面と反応ガス導入口との距離を50〜80mmの範囲内に設定し、ミラー磁場形成のための補助励磁ソレノイド13を備えたものでは、さらに、ミラー磁場の磁束密度最小の位置を基板からECR面側へ0〜100mmの間に形成する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波が導入されるマイクロ波窓を備えるとともに少なくともプラズマ原料ガスが導入されるプラズマ生成室と、プラズマ生成室を同軸に囲みプラズマ生成室内にマイクロ波との電子サイクロトロン共鳴磁界を形成する主励磁ソレノイドと、プラズマ生成室と内部空間が連通するとともに基板をその被成膜面をプラズマ生成室に向けて保持し、高周波電力の印加および温度制御可能な基板ホールダを内包する試料室とを備える電子サイクロトロン共鳴プラズマCVD装置を用い、基板に形成する絶縁膜として、導入ガスにプラズマ原料ガスとしてプラズマ生成室に導入されプラズマ化される酸素と、プラズマ化された酸素により活性化されるシランとを用いて酸化シリコン膜を形成する絶縁膜の製造方法において、(1)ECR点-基板間距離を100〜180mmに、(2)ECR点-シランガス吹き出し口間距離をECR点から基板側へ50〜80mmに、設定して成膜することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
