特許

J-GLOBAL ID：200903065350694625

プラズマ処理装置

発明者： 池田 英一郎 ,  脇田 友樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-077172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270417
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ表面へのラジカルの供給を均一にしてウェーハの表面での処理速度を一様にし、不良率を減少させたプラズマ処理装置の実現を課題とする。【解決手段】 プラズマを生成するプラズマ生成室4と、プラズマ生成室4で生成されたプラズマによってウェーハ9に所定の処理を施すウェーハ反応室7と、プラズマ生成室4とウェーハ反応室7との間に設けられた複数の中性粒子供給穴12を有するメッシュリング10とを有するプラズマ処理装置において、複数の中性粒子供給穴12をメッシュリング10の中央部には設けず、周辺部のみに設けるようにする。

請求項（抜粋）：

プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマ生成部で生成されたプラズマによって半導体基板に所定の処理を施す処理部と、前記プラズマ生成部と前記処理部との間に設けられた複数の貫通穴を有する金属板からなるメッシュリングとを有するプラズマ処理装置において、前記複数の貫通穴を前記メッシュリングの中央部には設けず、周辺部のみに設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 H ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 A