薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064773
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260649
出願日： 1993年03月02日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】ポリシリコン薄膜の水素化効率を向上する。【構成】プラズマシリコン窒化膜からなるオーバーコート膜8の上面にクロム膜からなる水素原子拡散防止膜9を堆積する。そして、窒素雰囲気中でアニール処理を施すと、オーバーコート膜8中の水素原子が拡散し、実線の矢印で示すように、オーバーコート膜8から離脱された水素原子がポリシリコン薄膜2のチャネル領域2aに到達し、チャネル領域2aのダングリングボンドの一部と結合することになる。この場合、水素原子拡散防止膜9により、オーバーコート膜8から離脱された水素原子が窒素雰囲気中に拡散するのを防止することができ、このためより多くの水素原子をポリシリコン薄膜2のチャネル領域2aに拡散させることができる。

請求項（抜粋）：

プラズマシリコン窒化膜からなるオーバーコート膜上に水素原子拡散防止膜を設け、この状態でアニール処理を施すことにより、前記オーバーコート膜から離脱された水素原子をポリシリコン薄膜のダングリングボンドに結合させるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N , H01L 29/78 311 Y

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