特許
J-GLOBAL ID：200903065352839230
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260487
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075214
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に半導体レ-ザと受光素子を同一プロセスで形成して両者を同じ構造にし、受光素子の受光性能を向上させる。【構成】 活性層8を中心とする活性領域と光吸収層13を中心とする受光素子とは、それぞれ別のプロセスで作られる。したがって、活性層と光吸収層の厚みを互いに別にすることができるので、受光素子の性能を高くすることが可能になる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、ストライプ状活性層を含む複数の半導体層からなる多層膜およびこの多層膜を両側から挟むように形成した電流ブロッキング層を有する半導体レーザと、前記半導体基板上に形成され、この半導体レーザの光出射面に対向し、前記電流ブロッキング層と同一の膜厚および同一の組成の半導体層からなる多層膜を有する受光素子とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 27/00 301
, H01L 31/12
