特許

J-GLOBAL ID：200903065356544404

半導体レーザ・モジュールとその製造方法

発明者： 熊井 次男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065781
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264883
出願日： 1995年03月24日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ・モジュールの構成に係り、レーザ光収斂用レンズを半導体実装基板と一体化してモジュール組立工数削減を図ることを目的とする。【構成】 背向する前後面が電極 4a,4b で厚さ方向中間域の幅方向表面中央部近傍に発光領域 4c を持つ半導体装置4と、表面の片側稜線域に該半導体装置4が実装し得る大きさの溝が電極 35 を備えて形成され、裏面の半導体装置実装位置に対応する所定位置に該裏面から突出するレンズ部31b が形成されたレンズ付半導体装置実装基板 3′とからなり、該レンズ付半導体装置実装基板 3′の上記溝内の電極 35 に、該電極と対応する電極 4b が対面し且つレンズ部 31b 側に発光領域 4c が向くように配置した上記半導体装置4を実装して構成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置から射出するレーザ光を光ファイバに進入せしめる半導体レーザ・モジュールであって、背向する前後面に電極が設けられ該前後方向中間域の幅方向表面中央部近傍に設けられた発光領域から高さ方向にレーザ光を射出する上記半導体装置と、シリコン基板素材の表面に形成された溝と裏面に形成されたレンズ部とを有するレンズ付半導体装置実装基板とからなり、該レンズ付半導体装置実装基板の溝は、前記半導体装置の幅にほぼ等しい幅と該半導体装置の高さにほぼ等しい深さと該半導体装置の前後方向長さを越える長さを有し、該溝の長さ方向壁面に形成された上記シリコン基板素材の表面にまで延出する電極には、該電極に対応する上記半導体装置の電極が接するようにまた前記レンズ部側にレーザ光が射出するように該半導体装置が実装され、前記レンズ部が該半導体装置の射出光と対応する位置に形成されていることを特徴とする半導体レーザ・モジュール。