特許

J-GLOBAL ID：200903065357682436

構造体の製造方法、構造体、およびデバイス

発明者： 高桑 敦司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-303489
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115778
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】低コスト化を図るとともに、生産性の向上を図ることができる構造体の製造方法、構造体、およびデバイスを提供すること。【解決手段】基板2上に所定のパターンをなす膜3を形成してなる構造体1を製造する方法であって、膜3のパターンと同パターンをなす凹部43を有する型4を基板2に接合して、型4の凹部43の内面と基板2とで画成された空間44を形成する工程と、空間44に液状材料3Lを充填する工程と、液状材料3Lを硬化または固化させて、膜3のパターンと同パターンをなす固体膜3Sを形成する工程と、型4を基板2から離間させ、固体膜3Sを膜3とする工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に所定のパターンをなす膜を形成してなる構造体を製造する方法であって、 前記パターンと同パターンをなす凹部を有する型を前記基板に接合して、前記型の凹部の内面と前記基板とで画成された空間を形成する工程と、 前記空間に液状材料を充填する工程と、 前記液状材料を硬化または固化させて、前記パターンをなす固体膜を形成する工程と、 前記型を前記基板から離間させ、前記固体膜を前記膜とする工程とを有することを特徴とする構造体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 P ,  H01L21/316 G ,  H01L21/312 A

Fターム (53件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD83 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033GG00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH38 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033VV15 ,  5F033XX03 ,  5F033XX34 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パターン形成方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-097690   出願人：シャープ株式会社