特許

J-GLOBAL ID：200903065363798101

半導体装置の製造方法

発明者： 山口 偉久 ,  清水 雅裕
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084824
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 シリサイドと半導体拡散層とのコンタクト抵抗の増大を防止し、トランジスタのドレイン電流の低下を抑制する。【構成】 半導体拡散層3の接合形成後、シリサイド層を形成する前にシリサイド層の底面が位置する付近に濃度のピークが来るように追加のイオン注入6によって不純物濃度を高めておく。【効果】 シリサイド層が形成され、シリサイド層が半導体拡散層の不純物を吸い出しても予め不純物濃度が高められているため、ショットキー障壁を高めることもなく、コンタクト抵抗の増大を防止できる。

請求項（抜粋）：

(a)所定の不純物濃度を有する半導体層を準備する工程と、(b)前記半導体層上に、前記半導体層と高融点金属との化合物を形成する工程と、を備え、前記工程(b)に先立って、(c)前記半導体層において、前記化合物の底面が形成される近傍の不純物濃度を高める工程を更に備える半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265