特許

J-GLOBAL ID：200903065367638877

化合物半導体及びその製造方法

発明者： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-141807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175150
出願日： 1992年06月02日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【構成】 化合物半導体薄膜を水素化物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結晶基板及び/又は単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室で行なう工程を含むIII -V族化合物半導体の製造方法においてキャリアガス及びエッチングガス以外にIII 族の有機金属ガス及び/又はV族元素を含む水素化物若しくはV族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴とする製造方法。【効果】 単結晶基板とエピタキシャル層の界面及び再成長界面の不純物汚染、酸化膜、熱変成層等を除去することにより表面の清浄化をおこないかつ意図に反したキャリア濃度の蓄積、欠乏が抑えられたため、従来の作製法の素子に比べて特性が大幅に向上する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体薄膜を水素化物及び有機金属ガスを用いて気相成長する直前に、単結晶基板及び/又は単結晶薄膜の表面のガスエッチングを成長室で行なう工程を含むIII -V族化合物半導体の製造方法においてキャリアガス及びエッチングガス以外にIII 族の有機金属ガス及び/又はV族元素を含む水素化物若しくはV族の有機金属ガスも同時に導入することを特徴とする製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭59-065434
  
• 特開昭51-074580
  
• 特開昭63-182299
  
• 特開平4-175293