特許

J-GLOBAL ID：200903065369921088

半導体基板及びその作製方法

発明者： 坂口 清文 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038464
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217820
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 基板の反りや割れの原因となる内部応力の発生の抑制された多孔質シリコン基板を作製する。【構成】 単結晶シリコン基板11の両面側から陽極化成を行う。先ず、一方の面側からHF溶液を用いて陽極化成を行って多孔質シリコン層12を形成し、次いで他方の面側からHF溶液を用いて陽極化成を行って多孔質シリコン層13を形成して、基板全体を多孔質シリコンとなす。両面側からの交互の陽極化成は合計3回以上に分けて行うこともできる。また、両面側から同時に陽極化成を行うこともできる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を陽極化成法により表面から裏面まで全てにわたって多孔質シリコンに変質させて多孔質シリコン基板を作製する方法であって、陽極化成をシリコン基板の両面側から行うことを特徴とする、半導体基板の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12