半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030675
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240510
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】動作電圧の低い半導体集積回路に適用できるように、ターンオン電圧の低い静電気保護用半導体装置を提供する。【構成】P型領域4(アノード),N- 型シリコン基板1,P型領域2(ゲート),N+ 型領域5(カソード)からなるサイリスタ部と、電極9(ゲート電極),P型領域2(ドレイン領域),P型領域3(ソース領域)からなるMOSトランジスタとを合成して構成する。

請求項（抜粋）：

N型半導体基板の下面に設けた第1のP型領域をアノードとし、前記第1のP型領域に対向する前記N型半導体基板の上面に形成した第2のP型領域をゲートとし、前記第2のP型領域内に形成した第1のN型領域をカソードとするサイリスタ部と、前記サイリスタ部のゲートを兼ねる前記第2のP型領域をドレインとし、前記第2のP型領域に近接する前記N型半導体基板の上面に形成し且つ前記サイリスタ部のアノードと電気的に接続した第3のP型領域をソースとし、前記第2および第3のP型領域の間の前記N型半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成し且つ前記サイリスタ部のカソードと電気的に接続した電極をゲート電極とするMOSトランジスタ部とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/74 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/74 N , H01L 27/04 H , H01L 29/74 G , H01L 29/78 301 K

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