特許
J-GLOBAL ID：200903065374543652
半導体装置および半導体チップ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078654
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267489
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】実装基板上における占有面積を縮小できるチップ・オン・チップ構造の半導体装置、およびそのための半導体チップを提供する。【解決手段】親チップ1の活性表面には、子チップ2の接合領域11が設定されており、この接合領域11には、導電性材料からなる複数のチップ間接続用バンプ12が隆起して形成されている。また、親チップ1の活性表面には、接合領域11に対向した開口部13を有する絶縁層14が積層されていて、この絶縁層14の表面から突出した状態に、導電性材料からなる複数の外部接続用バンプ15が設けられている。子チップ2は、その活性表面を親チップ1の表面の接合領域11に対向させて、各チップ間接続用バンプ21をそれぞれ対応する親チップ1のチップ間接続用バンプ12に結合させることにより、親チップ1と電気的および機械的に接続されている。
請求項（抜粋）：
第1の半導体チップの表面に、この第1の半導体チップとは別の第2の半導体チップを接合させたチップ・オン・チップ構造を有する半導体装置であって、前記第1の半導体チップの表面に設定されたチップ接合領域に形成され、前記第2の半導体チップとの接続のためのチップ間接続部と、前記第1の半導体チップの表面の前記チップ接合領域以外の領域に形成され、前記チップ接合領域に前記第2の半導体チップが接合された状態で、前記第2の半導体チップよりも表面側に突出した外部接続部とを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
