絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松尾誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-371613
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174168
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】オン抵抗を低く保ちながらさらに高速スイッチング特性の改善されたIGBTを提供する。【解決手段】 N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う絶縁ゲートトランジスタを有し、前記半導体基体の他方の表面に、前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのショットキー接合を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面には部分的に開口された絶縁膜が形成されるとともに、この絶縁膜の表面側にさらにドレイン電極が形成されることにより、前記絶縁膜が開口された領域において半導体基体と前記ドレイン電極とによるショットキー接合が形成されてなることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

請求項（抜粋）：

N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う絶縁ゲートトランジスタを有し、前記半導体基体の他方の表面に、前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのショットキー接合を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面には部分的に開口された絶縁膜が形成されるとともに、この絶縁膜の表面側にさらにドレイン電極が形成されることにより、前記絶縁膜が開口された領域において前記半導体基体と前記ドレイン電極とによるショットキー接合が形成されてなることを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/417 , H01L 29/872

FI (7件)：

H01L 29/78 655 C , H01L 29/78 652 L , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 655 F , H01L 29/48 P , H01L 29/50 B

Fターム (8件)：

4M104BB06 , 4M104CC01 , 4M104DD06 , 4M104FF02 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104GG06 , 4M104HH20

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