特許
J-GLOBAL ID:200903065380994135

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鵜沼 辰之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-001692
公開番号(公開出願番号):特開平5-190716
出願日: 1992年01月08日
公開日(公表日): 1993年07月30日
要約:
【要約】【目的】 高発熱密度の半導体チップを用いたマルチチップモジュールの冷却構造とその製法に関し、冷却流体の個別の流入・流出が容易で、かつ、冷却性能が高く、信頼性に優れた冷却構造を有する半導体装置の提供。【構成】 セラミック多層基板2上に集積回路パッケージ4が多数搭載されており、個々のパッケージには冷却ジャケット5が装着される。個々の冷却ジャケットには柔軟性を有する管11が接続されており、柔軟流路の内部には、冷却流体をスリット状の噴流として冷却ジャケットに流入させるためのノズル10が設けられる。冷却ジャケット内にはフィン12及び冷却流体の戻りのための空間13が設けられる。【効果】 冷却能力の高い水を冷却流体に利用でき、伝熱面積の拡大が容易な平板形のフィンを使用でき、スリット状の噴流により各フィンに均一に冷却流体を供給できる等のため、優れた冷却構造の半導体装置を提供することができる。
請求項(抜粋):
配線基板と、その上に複数個搭載された集積回路チップ又はそのパッケージと、これらの個々の集積回路チップ又はパッケージに固着又は当接された冷却ジャケットと、この冷却ジャケットの内部に設けられたフィンと、これらの個々の冷却ジャケットに接続された単一の柔軟流路とから成る半導体装置において、前記冷却ジャケットの底面に冷却冷媒をスリット状の噴流として衝突させ、左右2方向に振り分けて前記フィン部に流すことを特徴とする半導体装置。

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