特許
J-GLOBAL ID：200903065393603917
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244788
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097127
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 基板上にCuが混入されたAl合金の単層配線又はそれを主体とする積層配線を形成する配線形成技術において、前記Al合金をドライエッチングした際のCu残渣を低減する。【構成】 配線形成方法において、半導体ウエーハ(基板)2の主表面上に下地絶縁層3を介在しCuを混入したAl合金の単層配線又は積層配線4を形成し、前記配線4の表面上にエッチングマスク5を形成し、塩素ガスを主成分とするエッチングガスを使用するマイクロ波ドライエッチングにより、エッチング圧力の変化に対して高周波印加時のピーク間電圧Vppが低い領域で安定する条件下で前記Al合金層4にエッチングを施し、配線4を形成する工程を具備する。
請求項（抜粋）：
基板の主表面上に下地絶縁層を介在しCuを混入したアルミニウム合金の単層配線又はこのアルミニウム合金を主体とする積層配線を形成する配線形成方法において、基板の主表面上の全域にCuを混入したアルミニウム合金の単層又はそれを主体とする積層を形成する工程、前記アルミニウム合金の単層又はそれを主体とする積層の表面上の一部の領域にエッチングマスクを形成する工程、塩素ガスを又はこの塩素ガスを主成分とするエッチングガスを使用するとともに、基板に入射するイオンを独立に制御しかつプラズマの放電及び維持にマイクロ波発振を使用するマイクロ波ドライエッチングにより、ドライエッチング圧力の変化に対して高周波印加時のピーク間電圧が低い領域で安定する条件下で、前記アルミニウム合金の前記エッチングマスク以外の領域にエッチングを施し、アルミニウム合金の単層配線又はそれを主体とする積層配線を形成する工程の夫々を具備したことを特徴とする配線形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H01L 21/3205
, H05H 1/46
