特許
J-GLOBAL ID：200903065393665610
半導体素子・集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045836
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254665
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置において、該フッ素樹脂と封止樹脂との密着性を向上させ、信頼性向上させる。【構成】フッ素樹脂保護膜の表面にエネルギー線照射を行った後に、封止樹脂により封止を行う。
請求項（抜粋）：
封止樹脂と半導体素子の間に保護膜として含フッ素脂肪族環構造を有するフッ素樹脂の薄膜を有する半導体素子・集積回路装置において、前記薄膜の封止樹脂側表面がエネルギー線により処理されていることを特徴とする半導体素子・集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, C09D127/12 PFG
, C08F 16/24 MKZ
, C08F 16/32 MLA
