特許
J-GLOBAL ID：200903065394510742
基板表面処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-108970
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283386
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 自然酸化膜や表面処理薬液はもちろんのこと、基板表面に付着した金属不純物や有機不純物を完全に除去する。【構成】 基板Wを収納保持した表面処理槽1内に表面処理用反応性ガスを供給するガス供給手段5を設けるとともに、表面処理槽1に純水供給管8を接続し、表面処理槽1の周囲からそれよりも高い位置にわたるように排水槽2を設けるとともに排液管10を接続し、かつ、表面処理槽1を、その上端周縁よりも下方位置に基板Wの全体を収納可能に構成して、表面処理槽1からオーバーフローした純水を受け止めて排出するように構成し、また、表面処理槽1内の表面処理用反応性ガスを排出する排気筒7を設ける。
請求項（抜粋）：
基板を収納する表面処理槽と、その表面処理槽内に基板を保持する基板保持手段と、前記表面処理槽内に表面処理用反応性ガスを供給するガス供給手段とを備えた基板表面処理装置において、前記表面処理槽内に純水を供給する純水供給手段と、前記表面処理槽の周囲からそれよりも高い位置にわたって設けられて前記表面処理槽からオーバーフローした純水を受け止めて排出する排水槽と、前記表面処理槽内に貯留した純水を排出する排水手段と、前記表面処理槽内の表面処理用反応性ガスを排出する排気手段とを備え、かつ、前記表面処理槽を、その上端周縁よりも下方位置に前記基板保持手段で保持された基板の全体を収納可能に構成したことを特徴とする基板表面処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/306
