特許
J-GLOBAL ID：200903065398081480
半導体製造装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
村上 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-216342
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036640
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 ドライエッチング装置等において、ウエハ面内のエッチング速度の均一性を向上するために、プラズマ反応室内のプラズマ密度を均一にする。【構成】 真空チャンバ105壁周囲に環状のマイクロ波導入窓110を設け、そのマイクロ波導入窓110を囲じょうするように環状の導波管108を配置する。そしてマイクロ波を環状の導波管108内に伝搬させながら徐々にプラズマと結合させ、プラズマ反応室101内にプラズマを形成し、試料をエッチングする構成とした。【効果】 真空チャンバ壁面の全周辺から中心部に向ってマイクロ波を導入できるので、周辺部での強い放電が可能となり、プラズマの真空チャンバの壁への拡散によるプラズマ密度分布の不均一性を改善できる。
請求項（抜粋）：
プラズマを発生させるプラズマ反応室、試料を載置する試料台、反応性等のガスを導入するガス導入手段、及び室内を真空排気する排気手段を有する真空チャンバと、上記プラズマ反応室内に電子サイクロトロン共鳴を引起こすに必要な磁場を発生させる磁場発生手段と、上記プラズマ反応室の周壁に設けられ室内にマイクロ波を導入するためのマイクロ波導入窓と、上記マイクロ波導入窓を囲繞するよう配設された環状の導波管と、上記導波管にマイクロ波を導入するマイクロ波発生装置とを備えた半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H01L 21/31
