特許

J-GLOBAL ID：200903065400730350

パターン検査方法及びマスクの製造方法

発明者： 奥田 健太郎 ,  金指 康雄 ,  谷崎 広幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090591
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266391
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】マスクの設計データと光近接効果補正データとの形状差が大である危険パターンを抽出し、形状ごとに分類して代表パターンを自動的に選別するパターン検査方法びマスクの製造方法を提供する。【解決手段】検証すべき領域を複数の小領域に分割し、前記複数の小領域のそれぞれにおいて、目標となるパターンと、検査すべきパターンと、を比較し、両者の形状差が第1の許容値を超えている危険点の座標値を抽出し、前記抽出された危険点の座標値のうちで、前記複数の小領域の周辺部の座標値を削除し、前記削除した後に残った前記危険点の座標値におけるパターンを危険パターンとして前記目標となるパターンから抽出し、前記危険パターンのうちで互いに異なるものを代表パターンとして抽出することを特徴とするパターン検査方法を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

検証すべき領域を複数の小領域に分割し、 前記複数の小領域のそれぞれにおいて、目標となるパターンと、検査すべきパターンと、を比較し、両者の形状差が第1の許容値を超えている危険点の座標値を抽出し、 前記抽出された危険点の座標値のうちで、前記複数の小領域の周辺部の座標値を削除し、 前記削除した後に残った前記危険点の座標値におけるパターンを危険パターンとして前記目標となるパターンから抽出し、 前記危険パターンのうちで互いに異なるものを代表パターンとして抽出する ことを特徴とするパターン検査方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08

FI (2件)：

H01L21/30 502V ,  G03F1/08 S

Fターム (3件)：

2H095BD02 ,  2H095BD03 ,  2H095BD28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• マスクデータ補正方法、プログラム及び近接効果補正マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-135704   出願人：日本電気株式会社