特許

J-GLOBAL ID：200903065400958572

アッテネータおよび信号レベル減衰方法

発明者： 佐々木 功治
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138776
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321575
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】広帯域にわたって安定な減衰特性が得られ、ピコ秒オーダの高速制御信号にも対応できる、コンパクトなアッテネータを提供する。【解決手段】半絶縁性半導体基板1上に狭小ギャップにより隔てられた電極2a,2bを形成してなり、電極2aを信号入力ラインに、電極2bを信号出力ラインに接続したフォトコンダクタと、このフォトコンダクタの狭小キャップ近傍を照射する半導体レーザダイオード3と、を有し、半導体レーザダイオード3は、光照射パワーを可変できるよう構成され、フォトコンダクタは、半導体レーザダイオード3の光照射パワーに応じて電極間の抵抗値が可変するよう構成され、該フォトコンダクタの抵抗値に応じて信号入力ラインに入力された信号のレベルを減衰する。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板上に狭小ギャップにより隔てられた第1および第2の電極を形成してなり、前記第1の電極を信号入力ラインに、前記第2の電極を信号出力ラインに接続したフォトコンダクタと、前記フォトコンダクタの狭小キャップ近傍を照射する半導体レーザダイオードと、を有し、前記半導体レーザダイオードは、光照射パワーを可変できるよう構成され、前記フォトコンダクタは、前記半導体レーザダイオードの光照射パワーに応じて第1および第2の電極間の抵抗値が可変するよう構成され、該フォトコンダクタの抵抗値に応じて前記信号入力ラインに入力された信号のレベルが減衰されることを特徴とするアッテネータ。

IPC (4件)：

H03H 11/02 ,  H01L 31/0248 ,  H01S 3/103 ,  H03H 7/27

FI (4件)：

H03H 11/02 A ,  H01S 3/103 ,  H03H 7/27 ,  H01L 31/08 F