特許

J-GLOBAL ID：200903065407276434

半導体装置の製造方法

発明者： 三原 智 ,  駒田 大輔
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 中島 洋治 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061934
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267241
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 タングステン(W)またはモリブデン(Mo)のドライエッチング方法に関し,粗密の少ない均一なプラズマを生成できるようにしてエッチングのウエハ面内分布を小さくすると共に,ウエハの大口径化に対応できるようにする。【構成】 真空中でプラズマを発生させて,低温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング装置を用いる。(1)反応ガスとしてNF3 を用い,Ar,He,またはNeを添加する。添加ガスの体積比率は20〜70%とする。(2)反応ガスとしてSF6 を用い,N2 ガスを添加する。添加ガスの体積比率は30〜50%とする。(3)エッチング装置を平行平板型の反応性イオンエッチング装置とする。(4)試料を-20°C以下の低温に保つ。(5)エッチング装置へのガスの導入方法として,多数の小孔が設けられたガス拡散板を用いて,装置内へのガスの導入を均一にする。

請求項（抜粋）：

真空中でプラズマを発生させて,低温に保たれた試料をドライエッチングするエッチング装置を用いて,タングステンまたはモリブデンをドライエッチングする方法であって,反応ガスとしてNF3 を用い,Ar,He,またはNeを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  B01J 4/00 102 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-139932
  
• 特開平1-166539
  
• 特開平2-032539
  
• 特開平4-087332