特許

J-GLOBAL ID：200903065407582659

半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置の製造装置

発明者： 田頭 弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-021891
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217496
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ装置の製造工程における半導体レーザ素子の基準位置からの傾斜を定量的に検出でき、組立不良を大幅に低減できる半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置の製造装置を提供する。【解決手段】 この半導体レーザ装置の製造装置は、半導体レーザ素子1に発振閾値未満の微少電流を流すことによって、半導体レーザ素子1の活性層10を発光させ、発光パターン81,82の傾きから半導体レーザ素子1の傾きを計測するから、製造工程における半導体レーザ素子1の基準位置からの傾斜θを定量的に検出できる。CCDカメラ17で活性層10の発光パターン81,82を撮像して取り込んだ画像データから、活性層10の発光形状の拡がりの傾きを計算して活性層の傾き(半導体レーザ素子の傾き)を高精度に求めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子がステムに搭載されてなる半導体レーザ装置の製造方法において、上記半導体レーザ素子に発振閾値未満の微少電流を流すことによって、上記半導体レーザ素子の活性層を発光させ、上記活性層の発光パターンから、所定の基準面に対する上記半導体レーザ素子の傾きを測定し、上記傾きの大きさに応じて半導体レーザ装置の良否を判定することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/00 ,  B23P 19/00 303 ,  H01L 31/02 ,  H01S 5/022

FI (4件)：

H01S 5/00 ,  B23P 19/00 303 B ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 Z

Fターム (12件)：

3C030BC04 ,  3C030BC35 ,  5F073BA06 ,  5F073FA01 ,  5F073FA11 ,  5F073FA23 ,  5F073GA01 ,  5F073GA12 ,  5F073HA04 ,  5F073HA10 ,  5F088BA18 ,  5F088BB10