半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283516
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】第1層間絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドを有しない、平坦性も良好な優れた膜質のものを形成する。【構成】シリコンウェファ11の表面に絶縁膜を形成するに当たり、まず下地酸化膜12を形成し、次いでこの下地酸化膜12の表面を有機化合物で処理した後、有機けい素化合物と、B,P,Ge及びAsを含む有機化合物から選ばれた1種又は2種以上とを原料として用いる化学気相成長により絶縁膜14を形成し、次いで400°C以上の温度でリフローする。このように下地酸化膜表面12を有機化合物で処理することにより埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の絶縁膜を形成するに当たり、まず下地酸化膜を形成し、次いでこの下地酸化膜の表面を有機化合物で処理した後、有機けい素化合物と、B,P,Ge及びAsを含む有機化合物から選ばれた1種又は2種以上とを原料として用いる化学気相成長により絶縁膜を形成し、次いで400 °C以上の温度でリフローすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-185249
特開平4-071342
特開平3-183334

全件表示

前のページに戻る