特許

J-GLOBAL ID：200903065409598170

窒化シリコン系誘電体膜およびその製造方法

発明者： 堀内 悟志
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028214
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223774
出願日： 1996年02月15日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 絶縁耐圧が大きく、薄膜化された窒化シリコン系誘導体膜およびそのスループットの高い製造方法を提供する。【解決手段】 窒化シリコン膜5を減圧CVD等で形成後、同一の処理チャンバ内で連続的に表面窒化処理を施す。【効果】 窒化シリコン膜の表面に窒素富化層6が形成され、この結果窒化シリコン膜中のダングリングボンドが低減し、膜中の電子移動度が抑制される。

請求項（抜粋）：

下地材料層上に形成された窒化シリコン系誘電体膜の膜厚方向の窒素濃度が、膜の表面側で高濃度であることを特徴とする窒化シリコン系誘電体膜。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 651