特許
J-GLOBAL ID：200903065410159430
単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-148078
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月15日
要約：
【要約】【構成】 グラファイト製ヒータを用いて単結晶を育成する単結晶製造方法において、上記ヒータの素材として抵抗率が所定の範囲内にあるグラファイトを選択し、これを所定の形状に加工したものをヒータとして用いるようにした。【効果】 ヒータの抵抗値が一定の範囲にあり、ヒータ形状も同一であるため、ヒータへの給電条件の変動幅が従来に比べて小さくなり、単結晶化率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
グラファイト製ヒータを用いて単結晶を育成する単結晶製造方法において、上記ヒータの素材として抵抗率が所定の範囲内にあるグラファイトを選択し、これを所定の形状に加工したものをヒータとして用いることを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
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