特許
J-GLOBAL ID：200903065410620995
半導体装置に使用する絶縁膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-100977
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289209
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】【課題】 電子トラップの防止と耐湿性の向上を図る。【解決手段】 Si-H結合を有するガスを含む原料ガスによりCVD膜(層間絶縁膜又はパッシベ-ション膜)を製造する場合において、CVD膜中のSi-H結合量を0.6×1021cm-3以下にすることにより、ゲ-ト酸化膜又はトンネル酸化膜における電子トラップの発生を抑制し、トランジスタの閾値変動を防ぐ。また、CVD膜の屈折率を1.65以上にするか、又はCVD膜中の窒素濃度を3×1021cm-3以上にすることによって、耐湿性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
Si-H結合を有するガスを含む原料ガスを用いてCVD法により形成される絶縁膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜中のSi-H結合量は、0.6×1021cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/78
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 21/316 X
, H01L 21/318 C
, H01L 21/90 L
, H01L 21/90 P
, H01L 27/10 691
, H01L 29/78 301 N
, H01L 29/78 371
