特許
J-GLOBAL ID：200903065412267672

結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法

発明者：
谷 俊彦

谷 俊彦 について

, 
竹内 嗣人

竹内 嗣人 について

, 
斎藤 康善

斎藤 康善 について


出願人/特許権者：
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034194
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 密度と配向度の歩留まりが高く,圧電特性が大きく,かつ特性の再現性に優れた結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-で表され,上記Aは1〜3価の金属元素,一方,Bは2〜6価の金属元素である結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物。このビスマス層状ペロブスカイト型化合物は,ロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度が80%以上であり,かつ,相対密度95%以上の体積が95%以上を占めている。
請求項（抜粋）：
一般式が(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-で表され,上記Aは1〜3価の金属元素,一方,Bは2〜6価の金属元素である結晶配向ビスマス層状ペロブスカイト型化合物であって,ロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度が80%以上であり,かつ,相対密度95%以上の体積が95%以上を占めていることを特徴とするビスマス層状ペロブスカイト型化合物。
IPC (5件)：
C30B 29/22 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 29/00 ,  C04B 35/495 ZAA ,  H01L 41/187
FI (5件)：
C30B 29/22 D ,  C01G 1/00 ZAA S ,  C01G 29/00 ,  C04B 35/00 ZAA J ,  H01L 41/18 101 B
Fターム (57件)：
4G030AA01 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA05 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA12 ,  4G030AA13 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA24 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA32 ,  4G030AA33 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030CA02 ,  4G030CA03 ,  4G030GA09 ,  4G030GA18 ,  4G030GA25 ,  4G047AA01 ,  4G047AB01 ,  4G047AC01 ,  4G047AD04 ,  4G047CA01 ,  4G047CA06 ,  4G047CA07 ,  4G047CA08 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD04 ,  4G047CD08 ,  4G047KA17 ,  4G048AA03 ,  4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC01 ,  4G048AD04 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077BC21 ,  4G077BC27 ,  4G077HA11
引用特許：
審査官引用 (2件)

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