特許
J-GLOBAL ID:200903065415002122
位相差補償素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小林 和憲
, 飯嶋 茂
, 小林 英了
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-085723
公開番号(公開出願番号):特開2007-264065
出願日: 2006年03月27日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】TN液晶により生じる位相差を高精度に補償する位相差補償素子を提供する。【解決手段】本発明の位相差補償素子は、円盤状液晶分子13を配向して固定化したディスコティック液晶層からなる。飽和電圧が印加された状態のTN液晶層は、中央部に垂直配向領域2a、基板近傍にハイブリッド配向領域2bが生じる。垂直配向領域2aとハイブリッド配向領域2bの棒状液晶分子13は、電圧無印加状態のツイスト配向に起因したねじれをそれぞれ有している。ディスコティック液晶層は、垂直配向領域2aによる位相差を補償するツイスト垂直配向部17と、ハイブリッド配向領域2bによる位相差を補償するツイストハイブリッド配向部16,18を有しており、TN液晶による位相差を高精度に補償する。【選択図】図4
請求項(抜粋):
棒状液晶分子からなるTN液晶層とこれを保持する一対の基板とを備えた液晶セルに組み合わせて用いられ、前記TN液晶層を透過する光の位相差を補償する位相差補償素子において、
円盤状液晶分子の配向状態を固定化したディスコティック液晶層からなり、前記TN液晶層に飽和電圧を印加した際の棒状液晶分子の配向状態と合致するように、前記円盤状液晶分子がねじれ配向していることを特徴とする位相差補償素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (15件):
2H049BA06
, 2H049BA42
, 2H049BC02
, 2H049BC04
, 2H049BC22
, 2H091FA08X
, 2H091FA08Z
, 2H091FA11X
, 2H091FA11Z
, 2H091FD07
, 2H091FD10
, 2H091GA06
, 2H091HA07
, 2H091KA03
, 2H091LA19
引用特許:
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