特許

J-GLOBAL ID：200903065416935971

化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 徳田 潤 ,  本多 由明
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123259
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316152
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板上に形成する化合物半導体層の高品質化を図る。【構成】 シリコン基板1上に局所的に中間層であるGe層2を形成し、シリコン基板1が吸収せずGe層2のみが吸収する波長の光を照射してGe層2のみを加熱しGe層2上に、化合物半導体層であるGaAs層3を形成する。【効果】 シリコン基板1上のGaAs層3以外の部分に熱的に悪影響を与えることなく、シリコン基板1上に、結晶欠陥の少ない高品質なGaAs層3が形成できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に局所的に中間層を形成する工程と、前記シリコン基板が吸収せず前記中間層のみが吸収する波長の光を照射して前記中間層のみを加熱し前記中間層上に化合物半導体の結晶成長を行うことを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M