特許

J-GLOBAL ID：200903065417431101

電荷結合素子の製造方法

発明者： サン・ホ・ムン
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-125659
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051196
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 基板の表面が大気中に露出されないようにし、各隔離領域工程を同時に行うことができるようにして、素子の質を向上させ、工程を単純化すること。【構成】 第1導電型半導体基板の全面に第1絶縁膜と第2絶縁膜を順次形成し、前記半導体基板の所定の部分に第2導電型ウェルを形成する第1工程と、フィールド領域と活性領域を区画してフィールド領域の第2絶縁膜を選択的に除去し、フィールド領域の選択的に第2導電型フィールドイオンを注入する第2工程と、全面に第3絶縁膜を堆積し、フィールド領域にのみ前記第3絶縁膜が残るように選択的に除去する第3工程と、活性領域で画素と画素との間の隔離領域に選択的にチャンネルストップイオンを注入する第4工程と、活性領域で電荷転送領域及び画素領域を定義づけて選択的に第1導電型イオンを注入する第5工程とを含んでなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板の全面に第1絶縁膜と第2絶縁膜を順次形成し、前記半導体基板の所定の部分に第2導電型ウェルを形成する第1工程と、フィールド領域と活性領域を区画してフィールド領域の第2絶縁膜を除去し、フィールド領域に第2導電型フィールドイオンを注入する第2工程と、全面に第3絶縁膜を堆積し、フィールド領域にのみ前記第3絶縁膜が残るように第3絶縁膜を除去する第3工程と、活性領域の画素と画素との間の隔離領域にチャンネルストップイオンを注入する第4工程と、活性領域で電荷転送領域及び画素領域を定めてそこに第1導電型イオンを注入する第5工程と、を含んでなることを特徴とする電荷結合素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335