特許
J-GLOBAL ID：200903065422673431
半導体製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-303426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-208955
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 大気圧下においてコロナ放電により注入ガスを分解させて高エネルギーのイオンおよびラジカル状態とした後、これを基板へ照射することにより、工程が行われる方法および装置を提供することにある。【構成】 大気圧下において基板(12)上にRF電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも1個以上の電極に反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板表面で拡散されるようにする工程と、を備える。
請求項（抜粋）：
大気圧下において基板(12)上にRF電源でコロナ放電を発生させることができる少なくとも1個以上の電極(14)に、反応ガスを供給する工程と、前記コロナ放電により前記反応ガスをイオンまたはラジカルに分解して前記基板に照射させる工程と、イオンまたはラジカルに分解された前記反応ガスが前記基板表面で化学的な反応を起し、または、前記基板内で拡散されるようにする工程と、を備えることを特徴とするコロナ放電を利用した半導体製造方法。
引用特許：
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