特許

J-GLOBAL ID：200903065424343153

半導体装置の製造方法

発明者： 秋月 誠
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234113
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048032
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 蓄積電極の表面積を大きくしてキャパシタの容量を大きくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 第1導電層とすべき多結晶シリコン膜8aを形成した後、選択成長法により多結晶シリコン膜8aの側壁からさらに多結晶シリコン膜8b,8bを成長させて第1導電層の表面積を拡大させ、第1導電層8a及び第1導電層8b,8bの上に誘電体層10、誘電体層11及び第2導電層12を順次被着してキャパシタを形成する。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコンからなる第1導電層の上に誘電体層及び第2導電層を順次被着してキャパシタを形成する半導体装置の製造方法において、前記第1導電層とすべき多結晶シリコン膜を形成した後、選択成長法により該多結晶シリコン膜の側壁からさらに多結晶シリコン膜を成長させて前記第1導電層の表面積を拡大させることを特徴とする半導体装置の製造方法。